depletion layer

Associated with the depletion layer is an effect known as band bending.

Powiązany z warstwą zubożoną efekt znany jako zespół wygina się.

In both cases this leads to a separation of charges (such as through a depletion layer).

W obydwu przypadkach to prowadzi do oddzielenia opłat (taki jak przez warstwa zubożona).

The net result is that trying to create a region beneath the gate where there are no electrons (a depletion layer) becomes very hard work indeed.

Wynik netto jest tym próbowaniem stworzyć region pod bramą gdzie nie ma żadnych elektronów (warstwa zubożona) staje się bardzo mocno pracować rzeczywiście.

The avalanche breakdown occurs in lightly doped junctions, which produce a wider depletion layer.

Przebicie lawinowe następuje w skrzyżowaniach lekko podanych narkotyk, które produkują szerszą warstwę zubożoną.

The depletion layer at the junction is at the origin of the diode's rectifying properties.

Warstwa zubożona przy skrzyżowaniu jest przy pochodzeniu prostujących własności diody.

The regions nearby the p-n interfaces lose their neutrality and become charged, forming the space charge region or depletion layer (see figure A).

Regiony blisko interfejsy p-n przegrywają swoją neutralność i stają się pobrany opłatę, zakładając region opłaty kosmiczny albo warstwę zubożoną (widzieć liczba).

In effect, the capacitance across the depletion layer in the semiconductor is bias voltage dependent and goes as .

W efekcie, pojemność przez warstwę zubożoną w półprzewodniku jest napięciem prądu elektrycznego uprzedzeń zależny i idzie jak.

This depletion layer can also be made of a MOS or a Schottky diode.

Ta warstwa zubożona również może być zrobiona z MOS albo Schottky dioda.

When both sides of the pn junction (called a depletion layer) which is lightly doped become large enough avalanche breakdown takes place.

Kiedy obie strony skrzyżowania pn (nazwany warstwę zubożoną) który jest stać się wystarczająco dużym przebiciem lawinowym lekko podanym narkotyk ma miejsce.

These layers of fixed positive and negative charges, collectively known as the depletion layer because they are depleted of free electrons and holes.

Te warstwy z ustalony pozytywny i ładunki ujemne, wspólnie znany jako warstwa zubożona ponieważ oni są pozbawieni wolnych elektronów i dziur.

Heavier doping is also associated with thinner depletion layers and more recombination centers that result in increased leakage current, even without lattice damage.

Więcej stosowanie środków dopingowych również jest powiązane z węższymi warstwami zubożonymi i więcej ośrodków rekombinacji ten wynik w podniesionym wyciekaniu obecny, nawet bez uszkodzenia kratownicy.

The depletion layer between the n- and p-sides of a p-n-diode serves as an insulating region that separates the two diode contacts.

Warstwa zubożona między n- i p-sides z p-n-diode serwy jako izolujący region, który rozdziela dwa kontakty diody.

The depletion layer is so-called because it is depleted of mobile carriers and so is electrically non-conducting for practical purposes.

Warstwa zubożona jest tak zwana ponieważ to jest pozbawione ruchomych torb zatem elektrycznie nie-prowadzić dla celów praktycznych.

When the depletion layer spans the width of the conduction channel, "pinch-off" is achieved and drain to source conduction stops.

Gdy warstwa zubożona obejmuje szerokość kanału przewodnictwa, "szczypta-daleko" jest osiągnięty i odpływ do przewodnictwa źródła powstrzymuje.

The thickness of the depletion layer of a reverse-biased semiconductor diode varies with the DC voltage applied across the diode.

Grubość warstwy zubożonej odwrotny-stronniczy diody półprzewodnikowej zmienia się zależnie od napięcia prądu elektrycznego DC zastosowanego w poprzek diody.

In reverse bias the width of the depletion layer is widened with increasing reverse bias v, and the capacitance is accordingly decreased.

Od końca uprzedzenia szerokość warstwy zubożonej jest zwiększona z podnoszeniem odwrotnego v uprzedzeń, i pojemność stosownie jest zmniejszona.

The figure shows an example of a cross section of a varactor with the depletion layer formed of a PN junction.

Liczba pokazuje przykład przekroju poprzecznego z varactor z warstwą zubożoną założoną ze skrzyżowania PN.

The width of the depletion layer can be calculated by solving Poisson's equation and considering the presence of dopants in the semiconductor:

Szerokość warstwy zubożonej może być obliczona przez rozwiązanie równania Poisson i rozpatrywanie obecności domieszek w półprzewodniku:

This is due to the resulting internal field and corresponding potential barrier which inhibit current flow in reverse applied bias which increases the internal depletion layer field.

To przypada do wynikłego wewnętrznego pola i analogicznej bariery potencjału który hamować obecny przepływ od końca stosowana dyskryminacja, która podnosi wewnętrzne pole warstwy zubożonej.

"At this bias, the electric field is so high [higher than 3x10 V/cm] that a single charge carrier injected into the depletion layer can trigger a self-sustaining avalanche.

"Przy tych uprzedzeniach, pole elektryczne jest tak silne [wyższy niż 3x10 V/cm] że jeden nośnik prądu zaszczepiony w warstwie zubożonej może uruchamiać samopodtrzymującą się lawinę.

A particle may diffuse to a surface in quiescent conditions, but this process is inefficient as a thick depletion layer develops, which leads to a progressive slowing down of the deposition.

Cząstka może przenikać do powierzchni w spokojnych warunkach ale ten proces jest nieudolny jako gruba warstwa zubożona rozwija, który prowadzi postępowy slowing w dół z zeznania pod przysięgą.

Compared to forward bias, this dramatically reduces the response time at the expense of increased noise, because it increases the width of the depletion layer, which decreases the junction's capacitance.

W stosunku do bezczelnych uprzedzeń, to dramatycznie redukuje czas reakcji na koszt podniesionego hałasu ponieważ to zwiększa szerokość warstwy zubożonej, która zmniejsza pojemność skrzyżowania.

"PC-1D Modeling of Depletion Layer Recombination in GaAs Solar Cells," Proc.

"PC-1D Pozowanie warstwy zubożonej Rekombinacja w GaAs ogniwa słoneczne," Proc.

The depletion layer dopant is labeled N to indicate that the ions in the (pink) depletion layer are negatively charged and there are very few holes.

Domieszka warstwy zubożonej jest N opatrzono etykietą wskazać, że jony w (różowy) warstwa zubożona negatywnie pobierają opłatę i jest bardzo mało dziur.

The shape of the curve is determined by the transport of charge carriers through the so-called depletion layer or depletion region that exists at the p-n junction between differing semiconductors.

Kształt krzywej postanowi, że przez transport nośników prądu przez tak zwaną warstwę zubożoną albo region uszczuplenia to istnieje przy skrzyżowaniu p-n między różniącymi się półprzewodnikami.